Особенности определения квантового выхода светодиодов на основе AlGaInN и AlGaInP при различной плотности тока через излучающий кристалл

С.Г. Никифоров, А.Л.Архипов. Статья опубликована в журнале «Компоненты и технологии» №1, 2008г, стр.10 – 13.

В статье приведены результаты измерений зависимостей оптических характеристик светодиодов от плотности тока через излучающий кристалл, полученные импульсным методом, которые поясняют физические основы работы указанных гетероструктур. Использованные в работе методики измерения энергетических параметров излучения без учёта теплового действия тока позволяют выявить и объяснить существенную разницу в оценке истинной и приводимой производителями световой эффективности светодиодов.

Поделиться с друзьями:
SocButtons v1.4

Измерительное оборудование собственного производства

УСТАНОВКА РАДИОМЕТРИЧЕСКАЯ «БИОФОТ» для измерения параметров энергетической экспозиции по ГОСТ IEC 62471 (ГОСТ Р МЭК 62471) УСТАНОВКА РАДИОМЕТРИЧЕСКАЯ «БИОФОТ» для измерения параметров энергетической экспозиции по ГОСТ IEC 62471 (ГОСТ Р МЭК 62471) Подробнее ...
Установка для измерения силы света и её пространственного распределения «Флакс» Установка для измерения силы света и её пространственного распределения «Флакс» Подробнее ...
Эталонный источник излучения на основе светодиодов (изготовлен по ГОСТ Р 8.749-2011) Эталонный источник излучения на основе светодиодов (изготовлен по ГОСТ Р 8.749-2011) Подробнее ...
По вопросам приобретения оборудования и измерения параметров обращаться в лабораторию «АРХИЛАЙТ». тел. (495) 773 11 57, www.arhilight.ru