Справочная информация

1. Группа электрических характеристик. Исходные величины. 1. Прямое напряжение - Uf[В] Определяется параметрами ширины запрещённой зоны Eg применённой гетероструктуры, материалом подложки, структурой омических контактов и характеристиками токоведущих нитей и их сварных соединений. Указывает прямое напряжение смещения светодиода при номинальном прямом токе If . Применяется, помимо определения потребляемой мощности светодиода, для расчёта режимов оконечных каскадов или ключей вторичных источников питания, нагрузкой которых являются светодиоды, а также параметров самих источников питания, буферных, согласующих и стабилизирующих элементов.

2. Прямой ток - If[А] Рабочий (номинальный) ток светодиода, при котором обеспечивается его работоспособность в течение указанного времени и с указанными далее в спецификации параметрами. If . достигается подачей на светодиод прямого напряжения Uf.. Все характеристики светодиода измеряются при токе If. Он считается базовым параметром, относительно которого ведутся расчёты и измерения других электрических параметров, поэтому при любых подобных действиях он жёстко зафиксирован и стабилизирован, его величина известна с высокой точностью во время каждого измерения остальных характеристик. Используется для расчётов потребляемой энергии, КПД, эффективности излучения, мощности источника питания светодиода (группы светодиодов).

3. Плотность тока через p – n – переход pIf [A/cm2] Указывает отношение прямого тока If к площади p – n – перехода. Служит для оценки режимов работы гетероструктуры и активной области перехода, деградационных характеристик. Параметр удобен для нормирования прямого тока без указания его непосредственного значения у конкретной группы приборов, с привязкой к площади излучающего кристалла

4. Обратное напряжение Ur [V] Отрицательное напряжение, подаваемое на анод светодиода относительно его катода, при котором через светодиод протекает обратный ток Ir , значение которого не должно превышать указанную величину. Применяется для расчёта характеристик цепей питания светодиода, элементов фильтров и режимов коммутирующих элементов при динамическом управлении [5].

5. Обратный ток Ir[А, ?А] Обусловлен наличием неоднородностей в материале области пространственного заряда, вызывающим повышенную плотность неосновных носителей заряда в прилегающих к p – n – переходу областях. Вызван экстракцией неосновных носителей заряда из указанных областей совпадающим по направлению внешним приложенным электрическим полем (в неравновесном состоянии) [6]. Может служить косвенным показателем качества эпитаксиальной гетероструктуры на предмет наличия примесей или дислокаций, а также уровня выполнения производственных операций по утонению – разделению пластин, нанесения омических контактов, посадке кристалла и приварке контактных проводников. Указывает значение тока через светодиод при приложении Ur [V].

Поделиться с друзьями:

Измерительное оборудование собственного производства

Установка для измерения силы света и её пространственного распределения «Флакс» Установка для измерения силы света и её пространственного распределения «Флакс» Подробнее ...
Эталонный источник излучения на основе светодиодов (изготовлен по ГОСТ Р 8.749-2011) Эталонный источник излучения на основе светодиодов (изготовлен по ГОСТ Р 8.749-2011) Подробнее ...
По вопросам приобретения оборудования и измерения параметров обращаться в лабораторию «АРХИЛАЙТ». тел. (495) 773 11 57, www.arhilight.ru