Особенности определения квантового выхода светодиодов на основе AlGaInN и AlGaInP при различной плотности тока через излучающий кристалл
С.Г. Никифоров, А.Л.Архипов. Статья опубликована в журнале «Компоненты и технологии» №1, 2008г, стр.10 – 13.
В статье приведены результаты измерений зависимостей оптических характеристик светодиодов от плотности тока через излучающий кристалл, полученные импульсным методом, которые поясняют физические основы работы указанных гетероструктур. Использованные в работе методики измерения энергетических параметров излучения без учёта теплового действия тока позволяют выявить и объяснить существенную разницу в оценке истинной и приводимой производителями световой эффективности светодиодов.
Измерительное оборудование собственного производства
СМИ о нас
Архив-
21.03.2012
Сотрудники Лаборатории приняли участие в телепередаче на одном из московских каналов
Сотрудники Лаборатории приняли участие в телепередаче на одном из московских каналов... Мы были в эфире 20 марта в 15-00 часов на канале "Доверие".
-
10.09.2011
Открытие новой фотометрической лаборатории «АРХИЛАЙТ»
Учредители компании ООО «АРХИЛАЙТ» информируют светотехническое сообщество, производителей, проектировщиков, поставщиков, потребителей светотехнических приборов, источников света, светодиодов и устройств на их основе ...
Статьи
Архив статей- 28.01.2015 Умом Россию не понять, в России можно только мерить, или Физические аспекты восприятия полупроводникового света человеческим глазом
- 22.01.2015 Интернациональная физика и отечественная лирика современной метрологии света
- 21.01.2015 Исследование причин выхода из строя светодиодов с традиционными эпоксидными корпусами-линзами
Телепередачи с участием лаборатории Архилайт
Подробнее- 14.01.2014 Участие в мероприятиях и телепередачах